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NI PXI應對半導體陣列測試效率卡殼四大方案之新型材料器件半導體參數測試
如今的新型材料器件，目前的發展趨勢已經由單個單元慢慢轉向大規模陣列的形式， 然而，傳統的半導體參數分析儀的設計主要針對單個器件單元，當測試規模從幾個通道擴展到上百上千個，如果繼續沿用傳統方式進行單個通道逐一測量，測試效率將面臨著極大的挑戰。
應用挑戰
新型材料與陣列器件的測試正面臨四類現實挑戰：
其一，開關時間下探至納秒/皮秒，需在可切換網絡下輸出并采樣超短脈沖以還原瞬態；
其二，通道規模從個位到百千級，串行掃描吞吐不足，必須多通道同步并行 I-V；
其三，需在同一平臺完成Rds（on）、Cgs、轉移/輸出曲線、1/f 噪聲等全面表征；
其四，芯片內置 ADC/DAC 普及，測試需可編程數字協議與并行脈沖時序配合批量讀寫。
測試方案介紹
為了應對這些挑戰，NI基于其高度模塊化的PXI平臺推出了一套面向未來計算芯片測試場景的集成式測試系統解決方案。該系統通過軟硬件一體化設計，覆蓋新型材料器件的單個節點，陣列，高精度，超快速脈沖等多種測試場景的需求，為新型器件驗證與測試提供平臺支撐。
為滿足上述復雜多元的測試需求，NI在基于PXI套件中提供了四套方案，以下是第三套方案：
新型材料器件半導體參數測試
應用背景：隨著新型半導體器件在高頻、高壓、低功耗等場景中的廣泛應用，器件特性參數的準確測量變得尤為關鍵。傳統參數測試設備在靈活性、通道擴展性和測量種類支持上難以滿足研發與產線并行的需求。為解決此類問題，NI推出了基于PXI平臺的半導體參數測試與分析方案，該方案適用于對MOSFET、IGBT等器件進行特性分析，也支持用戶自定義參數類型的測試，尤其適合新型器件的快速驗證與歸檔。
方案特點：軟件功能支持輸出特性曲線、轉移特性曲線、導通電阻（Rds（on））、柵源電容（Cgs）以及1/f噪聲等多種半導體參數的測量，滿足對器件的全面表征需求。
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